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2SC2230

更新时间： 2024-02-12 08:50:35

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描述
TRANSISTOR (NPN)

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2SC2230 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	7 pF
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SC2230 数据手册

RoHS

2SC2230

TO-92MOD

2SC2230 TRANSISTOR (NPN)

1. EMITTER

FEATURE

Power dissipation

2. COLLECTOR

3. BASE

P_CM

0.8 W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

0.1

Collector-base voltage

V_(BR)CBO200 V

123

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= 100µA , I_E=0

MIN

200

160

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= 10 mA , I_B=0

I_E= 10µA, I_C=0

V_CB=200V, IE=0

0.1

µA

Collector cut-off current

I_CER

V_CB=160 V , R_EB= 10MΩ

V_EB=5V, IC=0

Emitter cut-off current

I_EBO

0.1

400

0.5

0.7

DC current gain

h_FE

V_CE=10 V, IC= 10mA

I_C= 50m A, I_B= 5mA

I_C= 1 mA, VCE= 10V

120

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

Transition frequency

V_CE= 10 V, I_C= 10mA

MHz

f _T

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Range

120-240

200-400

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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