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2SC2026

更新时间： 2024-10-01 06:25:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	67K
描述
isc Silicon NPN RF Transistor

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2SC2026 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SC2026 数据手册

INCHANGE Semiconductor

iscRF Product Specification

isc Silicon NPN RF Transistor

2SC2026

DESCRIPTION

·Low Noise

NF= 3.0dB TYP. @ f= 500MHz

·High Power Gain

G_pe= 15dB TYP. @ f= 500MHz

·High Gain Bandwidth Product

f_T= 2.0GHz TYP.

APPLICATIONS

·Designed for use in low noise amplifiers in the VHF~UHF

band.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

0.25

150

T_J

Junction Temperature

℃

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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