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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC2023
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2SC2023

更新时间： 2024-09-30 22:35:55
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Series Regulator, Switch, and General Purpose)

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2SC2023 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：140 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

2SC2023 数据手册

  
2 S C2 0 2 3  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor  
Application : Series Regulator, Switch, and General Purpose  
■Electrical Characteristics  
External Dimensions MT-25(TO220)  
■Absolute maximum ratings  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
Symbol  
2SC2023  
Symbol  
ICBO  
2SC2023  
1.0max  
1.0max  
300min  
30min  
Unit  
V
Conditions  
Unit  
mA  
mA  
V
±0.2  
4.8  
±0.2  
10.2  
±0.1  
2.0  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
300  
VCB=300V  
300  
IEBO  
VEB=6V  
V
6
V(BR)CEO  
hFE  
IC=25mA  
V
±0.2  
ø3.75  
a
2
0.2  
VCE=4V, IC=0.5A  
IC=1.0A, IB=0.2A  
VCE=12A, IE=–0.2A  
VCB=10V, f=1MHz  
A
b
IB  
VCE(sat)  
fT  
1.0max  
10typ  
V
MHz  
pF  
A
PC  
40(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.35  
Tj  
COB  
75typ  
+0.2  
Tstg  
0.65  
-0.1  
–55 to +150  
2.5  
2.5  
1.4  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C E  
Weight : Approx 2.6g  
a. Type No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
100  
100  
1.0  
–5  
100  
–200  
0.3typ  
4.0typ  
1.0typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
3
2
2
2
1
1
1
2A  
IC=1A  
0
0
0
0
1
2
3
4
0
0.1  
0.2  
0.3  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
5
200  
200  
100  
50  
100  
50  
Typ  
1
0.5  
10  
3
10  
0.2  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
5
10  
50 100  
500 1000 2000  
3
10  
100  
Collector Current IC(mA)  
1000 2000  
Collector Current IC(mA)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
40  
30  
20  
10  
10  
5
20  
Natural Cooling  
Silicone Grease  
Heatsink: Aluminum  
in mm  
Typ  
1
0.5  
10  
150x150x2  
100x100x2  
0.1  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
50x50x2  
0.05  
Without Heatsink  
2
0
0.02  
0
2
100  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
500  
–0.003  
–0.01  
–0.05 –0.1  
–0.5 –1  
10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
58  
1

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