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2SC1913AS

更新时间: 2024-11-17 10:48:59
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无锡固电 - ISC 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 125K
描述
Transistor

2SC1913AS 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
最大集电极电流 (IC):1 A基于收集器的最大容量:15 pF
集电极-发射极最大电压:180 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):185JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):15 W表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):120 MHzVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

2SC1913AS 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2SC1913 2SC1913A  
DESCRIPTION  
·With TO-220 package  
·Complement to type 2SA913/913A  
·Large collector power dissipation  
·High VCEO  
APPLICATIONS  
·Audio frequency high power driver  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
Collector;connected to  
mounting base  
2
Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol  
3
Emitter  
Absolute maximum ratings(Ta=25)  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
VALUE  
150  
180  
150  
180  
5
UNIT  
2SC1913  
2SC1913A  
2SC1913  
2SC1913A  
VCBO  
Collector-base voltage  
Open emitter  
V
VCEO  
Collector-emitter voltage  
Open base  
V
VEBO  
IC  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Open collector  
V
A
1
ICM  
PC  
Tj  
Collector current-peak  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
1.5  
A
TC=25  
15  
W
150  
-55~150  
Tstg  

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