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2SC1913AQ

更新时间： 2024-10-15 20:59:47

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	125K
描述
Transistor

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2SC1913AQ 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	15 pF
集电极-发射极最大电压：	180 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	VCEsat-Max：	1.5 V
Base Number Matches：	1

2SC1913AQ 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1913 2SC1913A

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SA913/913A

·Large collector power dissipation

·High V_CEO

APPLICATIONS

·Audio frequency high power driver

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

150

180

150

180

UNIT

2SC1913

2SC1913A

2SC1913

2SC1913A

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_CM

P_C

T_j

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.5

T_C=25℃

℃

150

-55~150

T_stg

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC1913AR	ISC	获取价格	Transistor
2SC1913AS	ISC	获取价格	Transistor
2SC1913P	ISC	获取价格	Transistor
2SC1913Q	ISC	获取价格	Transistor
2SC1913R	ISC	获取价格	Transistor
2SC1913S	ISC	获取价格	Transistor
2SC1914	ETC	获取价格	TRANSISTOR
2SC1914A	ETC	获取价格	TRANSISTOR
2SC1914A-11-F	MITSUBISHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC1914A-11-G	MITSUBISHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92