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2SC1893

更新时间： 2024-11-16 06:17:43

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	114K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1893 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1893

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·For line-operated horizontal deflection

output applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

1500

500

UNIT

Collector-base voltage

Open emitter

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

3.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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