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2SC1454

更新时间： 2024-09-27 06:18:03

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	108K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1454 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1454

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High breakdown voltage:V_CEO=250V(min)

APPLICATIONS

·For use in low frequency power

amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

300

250

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

150

-55~150

T_stg

ꢀ

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