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2SC1450

更新时间： 2024-01-08 00:29:40

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	128K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1450 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

2SC1450 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1450

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Wide area of safe operation

·High collector-emitter breakdown voltage

:V_CEO=150V(min)

·Complement to type 2SA766

APPLICATIONS

·For power amplifier and vertical output

applications.

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

150

UNIT

Open emitter

Open base

150

Open collector

0.4

P_D

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=80℃

℃

T_j

150

T_stg

-65~200

12 3

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