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2SC1419

更新时间： 2024-09-26 06:24:23

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	56K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1419 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1418

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Large collector power dissipation

APPLICATIONS

·For medium power amplifier applicattions

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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