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2SC1384S

更新时间： 2024-09-23 21:20:47

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Transistor

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2SC1384S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	170
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SC1384S 数据手册

UTC2SC1384

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

NPN EPITAXIAL PLANAR

TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UTC 2SC1384 is power amplifier and driver.

FEATURES

*Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)

*Complementary pair with 2SA684

TO-92NL

1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE

*Pb-free plating product number: 2SC1384L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ^{(Ta=25°C, unless otherwise specified)}

PARAMETER

Collector-Base Voltage

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

Icp

VALUE

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Collector Current

Collector Current (DC)

Collector Dissipation (Ta=25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

1.5

TSTG

°C

150

-55 ~ +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ^{(Ta=25°C, unless otherwise specified)}

PARAMETER

Collector Cut-Off Current

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

DC Current Gain

SYMBOL

ICBO

TEST CONDITIONS

VCB=20V,IE=0

MIN TYP MAX UNIT

0.1

µA

VCBO

VCEO

VEBO

hFE1

Ic=10µA,IE=0

Ic=2mA,IB=0

IE=10µA,Ic=0

VCE=10V, Ic=500mA (note)

VCE=5V, IC=1A (note)

Ic=0.5A, IB=50mA (note)

VCE=10V, IB=-50mA, f=200MHz

VCB=10V,IE=0,f=1MHz

160

100

0.2

0.85

200

340

hFE2

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

VCE(sat)

VBE(sat)

0.4

1.2

MHz

Cob

Note: Pulse measurement

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R211-005,A

12 3

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