2SC1214D-E

更新时间： 2024-09-23 13:04:11

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瑞萨 - RENESAS		/
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5页	57K
描述
500mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN

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2SC1214D-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	TO-92(1), 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.19
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC1214D-E 数据手册

2SC1214

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G0686-0200

(Previous ADE-208-1050)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

Low frequency amplifier

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DA-A

(Package name: TO-92 (1))

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

500

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

600

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 4

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2SC1214DTZ-E	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SC1214TZ	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC1215	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type
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