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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB962-Z-T2Q | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, PLASTIC, MP-3, SC-63, |
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| 2SB962-Z-T2R | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, PLASTIC, MP-3, SC-63, |
|
| 2SB963 | NEC |
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PNP SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR MP-3 |
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| 2SB963K | ETC |
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BJT |
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| 2SB963K-Z-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,60V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252 |
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| 2SB963L | ETC |
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BJT |
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| 2SB963L-Z | RENESAS |
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2SB963L-Z |
|
| 2SB963L-Z-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,60V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252 |
|
| 2SB963L-Z-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,60V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252 |
|
| 2SB963M | ETC |
获取价格 |
BJT |
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