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2SB859

更新时间： 2024-09-28 06:16:07

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB859 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB859

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SD1135

APPLICATIONS

·Low frequency power amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-100

-80

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-5

-4

I_CP

Collector current-Peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-8

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-45~150

T_stg

12 3 4

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