2SB859

更新时间： 2024-09-27 23:16:15

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Silicon PNP Triple Diffused

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2SB859 数据手册

2SB859

Silicon PNP Triple Diffused

Application

Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1135

Outline

TO-220AB

1. Base

2. Collector

(Flange)

3. Emitter

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–100

–80

–5

–4

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Note: 1. Value at T_C= 25°C

I_C(peak)

P_C*¹

–8

°C

150

Tstg

–45 to +150

12 3 4 5

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