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2SB857_15

更新时间： 2024-11-21 01:16:47

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB857_15 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB857 2SB858

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SD1133/1134

APPLICATIONS

·Low frequency power amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-70

UNIT

V_CBO

Collector-base voltage

2SB857

2SB858

-50

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-60

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-5

-4

I_CP

P_C

T_j

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-8

T_C=25℃

℃

150

-45~150

T_stg

12 3 4

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