Datasheet > 2SB857

2SB857

更新时间： 2024-01-05 12:31:30

品牌	Logo	应用领域
HSMC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	37K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB857 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.58
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2SB857 数据手册

Spec. No. : HE6705

Issued Date : 1995.01.27

Revised Date : 2001.09.13

Page No. : 1/3

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HSB857 / 2SB857

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

Low frequency power amplifier.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -50 ~ +150 °C

Junction Temperature.................................................................................... +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Tc=25°C) ..................................................................................... 40 W

• Maximum Voltages and Currents

BVCBO Collector to Base Voltage...................................................................................... -70 V

BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................... -50 V

BVEBO Emitter to Base Voltage.......................................................................................... -5 V

IC Collector Current.............................................................................................................. -4 A

IC Collector Current (IC Peak).............................................................................................. -8 A

Characteristics (Ta=25°C)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

IC=-10uA, IE=0

IC=-50mA, IB=0

IE=-10uA, IC=0

VCB=-50V, IC=0

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

*VCE(sat)

*VBE(on)

*hFE1

-70

-50

-5

-1

320

IC=-2A, IB=-0.2A

IC=-1A, VCE=-4V

IC=-0.1A, VCE=-4V

IC=-1A, VCE=-4V

VCE=-4V, IC=-500mA, f=100MHz

*hFE2

MHz

*Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

Classification Of hFE2

Rank

hFE

60-120

100-200

160-320

HSB857

HSMC Product Specification

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SB857相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB857_09	UTC	获取价格	SILICON PNP TRANSISTOR
2SB857_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB857_15	UTC	获取价格	SILICON PNP TRANSISTOR
2SB857_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB857\|2SB858	ETC	获取价格
2SB85772SS-E-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
2SB85772SSL-E-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
2SB85772SSL-P-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
2SB85772SSL-Q-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
2SB85772SS-P-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor