2SB825

更新时间： 2024-02-18 00:23:23

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	166K
描述
Silicon PNP Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB825 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	140	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	40 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	VCEsat-Max：	0.4 V
Base Number Matches：	1

2SB825 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB825

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Low saturation voltage

·Complement to type 2SD1061

APPLICATIONS

·Universal high current switching as

solenoid driving;high speed inverter

and converter applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-60

UNIT

Open base

-50

Open collector

-6

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-7

I_CP

-12

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

下载PDF

与2SB825相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB825_15	JMNIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SB825_2014	JMNIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SB825Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SB825R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SB825S	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SB826	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格