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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 135 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB800-T1FM | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, |
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| 2SB800-T2 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, |
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| 2SB800-T2-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,300MA I(C),SOT-89 |
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| 2SB800-T2FK | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, |
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| 2SB800-T2FL | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, |
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| 2SB800-T2FM | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, |
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| 2SB804 | TYSEMI |
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World standard miniature package:SOT-89 Excellent DC current gain linearity. |
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| 2SB804 | NEC |
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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
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| 2SB804 | KEXIN |
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PNP Silicon Epitaxial Transistor |
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| 2SB804 | BL Galaxy Electrical |
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80V,1A,Medium Power PNP Bipolar Transistor |
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