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2SB800

更新时间: 2024-10-01 22:35:55
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 214K
描述
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

2SB800 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:POWER, MINIMOLD PACKAGE-3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.3 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:2 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.6 V
Base Number Matches:1

2SB800 数据手册

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