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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e3/e6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN/TIN BISMUTH | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB799MM-T1-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,700MA I(C),SOT-89 |
|
| 2SB799MM-T2-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,700MA I(C),SOT-89 |
|
| 2SB799-T2MM | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, |
|
| 2SB800 | NEC |
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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
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| 2SB800 | KEXIN |
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PNP Silicon Epitaxial Transistor |
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| 2SB800 | TYSEMI |
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World standard miniature package:SOT-89 High collector to emitter voltage:VCEO -80V |
|
| 2SB800 | RENESAS |
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300mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 |
|
| 2SB800-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, |
|
| 2SB800FK | ETC |
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BJT |
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| 2SB800FK-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,300MA I(C),SOT-89 |
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