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2SB798

更新时间： 2024-02-01 19:39:03

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TYSEMI		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	77K
描述
Low collector saturation voltage:VCE(sat)<-0.4V(IC=-1.0A,IB=-100mA)

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2SB798 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	POWER, MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3/e6
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	2 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	110 MHz
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

2SB798 数据手册

Product specification

2SB798

Features

World standard miniature package:SOT-89

Low collector saturation voltage:V^CE(sat)<-0.4V(I^C=-1.0A,I^B=-100mA)

Excellent DC Current Gain Linearity:h^FE=100TYP.(V^CE=-10.V,I^C=-1.0A)

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector to base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

-30

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

-25

-5

-1

Collector current(Pulse) *

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

I^C

1.5

P^T

T^j

150

T^stg

-55 to +150

* PW 10ms,duty cycle 50%.

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

Max

-100

400

Unit

V^CB= -30 V, I^E= 0

I^EBO

V^EB= -5.0 V, I^C= 0

V^CE= -1.0 V, I^C= -100 mA

V^CE= -1.0 V, I^C= -1.0A

200

100

DC current gain *

h^FE

Collector saturation voltage *

Base saturation voltage *

Base-emitter voltage *

Gain bandwidth product

Output capacitance

V^CE(sat)I^C= -1A, I^B= -0.1A

V^BE(sat)IC = -1A, IB = -0.1A

-0.25 -0.4

-1.0 -1.2

V^BE

f^T

VCE = -6.0 V, IC = -10 mA

V^CE= -6.0 V, I^E= 10 mA

V^CB= -6.0 V, I^E= 0 , f = 1.0 MHz

-600 -640 -700

MHz

110

C^ob

* Pulsed: PW

350 ìs, duty cycle

hFE Classification

Marking

h^FE

90 180

135 270

200 400

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB798_11	UTC	获取价格	POWER TRANSISTOR
2SB798_15	UTC	获取价格	POWER TRANSISTOR
2SB798DK	ETC	获取价格	BJT
2SB798DK-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, MI
2SB798DK-T1	RENESAS	获取价格	1000mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN
2SB798DK-T1-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
2SB798DK-T1-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, MI
2SB798DK-T1-AZ	RENESAS	获取价格	1000mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN
2SB798DK-T2	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, MI
2SB798DK-T2-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89

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