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2SB798

更新时间： 2024-11-28 03:56:31
品牌 Logo 应用领域
友顺 - UTC 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 118K
描述
POWER TRANSISTOR

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2SB798 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.26
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：110 MHz
Base Number Matches：1

2SB798 数据手册

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UTC2SB798  
PNPEPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
POWER TRANSISTOR  
DESCRIPTION  
The UTC 2SB798 is designed for audio frequency power  
amplifier applications, especially in Hybrid Integrated  
Circuits.  
1
FEATURES  
*Low Collector Saturation Voltage:  
VCE(sat)< -0.4V (Ic= -1.0A,IB=-100mA )  
*Excellent DC Current Gain Linearity :  
hFE=100 Typ.(VCE= -1.0V,Ic=-1.0A)  
SOT-89  
1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25°C )  
PARAMETER  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
RATING  
-30  
UNIT  
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
-25  
-5.0  
V
V
Collector Current  
DC  
-1.0  
-1.5  
A
A
Ic  
Pulse(note 1)  
Collector Dissipation (note 2)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PC  
Tj  
TSTG  
2
150  
-55 ~ +150  
W
°C  
°C  
Note 1: PW≦10ms,Duty Cycle≦50%  
Note 2: When mounted on a ceramic substrate of 16cm2×0.7 mm.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25°C,unless otherwise specified)  
PARAMETER  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITIONS  
VCB= -30V , IE= 0  
MIN TYP MAX UNIT  
-100  
-100  
400  
nA  
nA  
IEBO  
VEB= -5.0V, Ic= 0  
DC Current Gain  
DC Current Gain  
Base to Emitter Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
hFE1  
hFE2  
VBE  
VCE= -1.0V,Ic= -100mA  
VCE= -1.0V,Ic= -1.0A  
VCE= -6.0V,Ic= -10mA  
90  
50  
200  
100  
-600 -640 -700  
-0.25 -0.40  
mV  
V
V
MHz  
pF  
VCE(sat) Ic= -1.0A,IB= -0.10A  
VBE(sat) Ic= -1.0A,IB= -0.10A  
-1.0  
110  
36  
-1.2  
fT  
Cob  
VCE= -6.0V, IE= 10 mA  
VCB= -6.0V, IE= 0, f=1MHz  
Note 3: PW≦350μs,Duty Cycle≦2%  
CLASSIFICATION OF hFE1  
MARKING  
hFE1  
DM  
90-180  
DL  
135-270  
DK  
200-400  
1
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD  
QW-R208-020,A  
123

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