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2SB795

更新时间： 2024-01-20 20:02:01

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	115K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB795 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.34
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB795 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB794 2SB795

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·DARLINGTON

·High DC current gain

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2SD985 2SD986

APPLICATIONS

·For use in operating from IC without

predriver ,such as hammer driver

PINNING(See Fig.2)

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

2SB794

2SB795

2SB794

2SB795

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-80

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-peak

Open collector

-8

-1.5

-3.0

1.0

I_CM

T_a=25ꢀ

T_C=25ꢀ

P_D

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

ꢀ

T_stg

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SB795K	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
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