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2SB778

更新时间： 2024-02-07 01:52:29

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1页	51K
描述
PNP PLANAR TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER, DC TO DC CONVERTER)

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2SB778 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	10 A	基于收集器的最大容量：	280 pF
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
VCEsat-Max：	2.5 V

2SB778 数据手册

2SB778

PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR

AUDIO POWER AMPLIFIER

DC TO DC CONVERTER

SC-65

High Current Capability

High Power Dissipation

ABSOLUTE MAXIMUM RATING (T_A=25℃)

Characteristic

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

Collector Current (DC)

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Symbol

Rating

Unit

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

P^C

T^j

-120

-6

-10

℃

150

-55~150

Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25℃)

Characteristic

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Collector Base Breakdown Voltage

Collector Emitter Breakdown Voltage

Emitter Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

*DC Current Gain

BV^CBO

BV^CEO

BV^EBO

I^CBO

I^EBO

h^FE1

I^C=-5 mA I^E=0

I^C=-10 mA R^BE=∞

I^E=-5mA I^C=0

V^CB=-60V I^E=0

V^EB=-4V I^C=0

V^CE=-5V I^C=-1A

V^CE=-5V I^C=-2A

I^C=-3A I^B=-0.3A

-120

-6

-0.1

160

120

DC Current Gain

Collector- Emitter Saturation Voltage

h^FE2

V^CE(sat)

-1.5

Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.

Homepage: http://www.wingshing.com

Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153

E-mail: wsccltd@hkstar.com

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