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2SB772-GR-B

更新时间： 2024-11-05 17:52:23
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美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
Transistor

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2SB772-GR-B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92JESD-609代码：e0
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

2SB772-GR-B 数据手册

 浏览型号2SB772-GR-B的Datasheet PDF文件第2页 
2SB772  
2SB772-R  
2SB772-O  
2SB772-Y  
2SB772-GR  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
PNP Silicon  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
•
•
•
•
x
Capable of 1.25Watts of Power Dissipation.  
Collector-current 3.0A  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅ  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
A
K
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V (BR)CEO  
V (BR)CBO  
V (BR)EBO  
I CBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
30  
40  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
D
(I =10mAdc, I =0)  
C
B
Collector-Base Breakdown Voltage  
(I C=100uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(I E=100uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(V CB=40Vdc, IE=0)  
Collector Cutoff Current  
(V CE=30Vdc, IB=0)  
R
E
B
---  
Vdc  
1.0  
1.0  
1.0  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
N
P
ICEO  
M
F
G
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
L
(V EB=6.0Vdc, I =0)  
C
H
C
ON CHARACTERISTICS  
h FE(1)  
DC Current Gain  
(I =1.0Adc, VCE=2.0Vdc)  
DC Current Gain  
60  
32  
---  
400  
---  
---  
C
h FE(2)  
1
2
3
(I =100mAdc, VCE=2.0Vdc)  
---  
C
V CE(sat)  
V BE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I C=2.0Adc, IB=0.2Adc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I C=2.0Adc, IB=0.2Adc)  
J
J
Q
0.5  
2.0  
Vdc  
Vdc  
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
EMITTER  
COLLECTOR  
BASE  
---  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
ꢁꢄꢇꢈꢃꢅꢉ  
ꢂꢁꢄꢉ  
ꢍꢎꢏꢍꢉ  
ꢉ
ꢂꢂꢉ  
f T  
Transistor Frequency  
ꢀꢁꢂꢉ  
ꢊꢉ  
ꢒꢉ  
ꢇꢉ  
ꢀꢉ  
ꢃꢉ  
ꢘꢉ  
ꢂꢊꢋꢉ  
ꢍꢎꢏꢏꢉ  
ꢍꢎꢓꢔꢉ  
ꢍꢎꢓꢏꢉ  
ꢍꢎꢕꢔꢉ  
ꢍꢎꢕꢏꢉ  
ꢍꢎꢍꢏꢏꢉ  
ꢍꢎꢍꢐꢉ  
ꢍꢎꢍꢏꢏꢉ  
ꢍꢎꢕꢍꢉ  
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ꢍꢎꢍꢗ  
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ꢐꢎꢐꢍꢉ  
ꢉ
ꢂꢊꢋꢉ  
ꢄꢆꢌꢃꢉ  
ꢉꢉ  
(I C=0.1Adc, VCE=5.0Vdc, f=10MHz)  
50  
---  
MHz  
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ꢕꢏꢎꢏꢔꢉ  
ꢖꢎꢍ  
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ꢕꢎꢍ  
ꢙꢉ  
ꢈꢉ  
ꢚꢉ  
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
R
O
Y
GR  
200-400  
ꢛꢉ  
ꢜꢉ  
Range  
60-120  
100-200  
160-320  
ꢂꢉ  
ꢄ
ꢍꢎꢓ  
ꢞꢉ  
 ꢉ  
!ꢉ  
ꢍꢎꢍꢔꢉ  
ꢍꢎꢍꢕꢑꢉ  
ꢍꢎꢖꢏꢉ  
ꢍꢎꢍꢑꢉ  
ꢍꢎꢍꢗꢏꢉ  
ꢍꢎꢖꢖꢉ  
ꢕꢎꢓꢓꢉ  
ꢍꢎꢖꢓꢉ  
ꢕꢎꢝꢓ  
ꢍꢎꢔꢍ  
ꢕꢕꢎꢗꢍ  
ꢕꢍꢎꢑꢍꢉ  
www.mccsemi.com  
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Revision: 4  
2007/03/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB772-GR-BP MCC

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
2SB772GR-BP MCC

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 		3A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, PLASTIC PACKAGE-3
2SB772-GR-BP-HF MCC

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 		Power Bipolar Transistor,
2SB772GR-G STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
2SB772G-X-T60-K UTC

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 		MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
2SB772G-X-T6C-K UTC

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