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2SB720

更新时间： 2024-01-04 05:23:34

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	231K
描述
Silicon PNP Power Transistor

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2SB720 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB720

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -200V(Min)

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SD760

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier and TV vertical deflection

output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

-200

-5.0

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-2

I_CM

-3

P_C

Total Power Dissipation@ T_C=25℃

Junction Temperature

℃

T_J

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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