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2SB632_2014

更新时间： 2024-09-18 01:23:39

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB632_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB632 2SB632K

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SD612/612K

·High collector dissipation

·Wide ASO(Safe Operating Area)

APPLICATIONS

·25V/35V, 2A low-frequency

power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-25

-35

-25

-35

-5

UNIT

2SB632

2SB632K

2SB632

2SB632K

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Open collector

-2

I_CM

-3

T_a=25℃

T_C=25℃

P_D

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SB632E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-126
2SB632F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-126
2SB632K	SANYO	获取价格	25V/35V, 2A Low-Frequency Power Amp Applications
2SB632K	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB632K	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB632K	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB632KD	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-126
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2SB632KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-126