2SB632

更新时间： 2024-02-02 22:48:22

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	171K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB632 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.48
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SB632 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB632 2SB632K

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SD612/612K

·High collector dissipation

·Wide ASO(Safe Operating Area)

APPLICATIONS

·25V/35V, 2A low-frequency

power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-25

-35

-25

-35

-5

UNIT

2SB632

2SB632K

2SB632

2SB632K

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Open collector

-2

I_CM

-3

T_a=25℃

T_C=25℃

P_D

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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