2SB557R

更新时间： 2024-01-04 00:38:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	121K
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2SB557R 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB557

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Complement to type 2SD427

·High power dissipation

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommended for 50W high-fidelity audio

frequency amplifier output stage

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-120

-5

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-8

I_E

Emitter current

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

12 3

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