2SB556

更新时间： 2024-02-05 02:40:01

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	116K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB556 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SB556 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB555 2SB556

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Complement to type 2SD425/426

·High power dissipation

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommended for high-power high-fidelity

audio frequency amplifier output stage

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-140

-120

-140

-120

-5

UNIT

2SB555

2SB556

2SB555

2SB556

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-12

I_E

Emitter current

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

℃

150

T_stg

-65~150

12 3

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