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2SB350Q

更新时间： 2024-09-14 14:55:11

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功率三极管

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2SB350Q 数据手册

2SB350Q-HAF

PNP Silicon Epitaxial Planar Power Transistor

Features

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

1.Base 2.Collector 3.Emitter 4.Collector

SOT-223 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current Continuous

Peak Pulse Current

Base Current

-I_CM

0.5

-I_B

Power Dissipation ¹⁾

P_tot

1.25

Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

100

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

Dated: 24/01/2022 Rev:03

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