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2SB304Q

更新时间： 2024-10-15 14:52:27

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功率三极管

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2SB304Q 数据手册

2SB304Q-HAF

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• Low collector-emitter saturation voltage

• High collector current capability

• High collector current gain

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

1.Base 2.Collector 3.Emitter 4.Collector

SOT-223 Plastic Package

Applications

• High-voltage DC-to-DC conversion

• High-voltage MOSFET gate driving

• High-voltage motor control

• High-voltage power switches (e.g. motors, fans)

• Automotive applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

4.5

Peak Collector Current, Pulsed

Total Power Dissipation ¹⁾

Junction Temperature

-I_CM

0.7

P_tot

T_j

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

179

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 08/02/2023 Rev:01

12 3 4 5

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