2SB1734

更新时间： 2024-09-23 07:30:07

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	54K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1734 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	85	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1734 数据手册

Transistors

2SB1734

Silicon PNP epitaxial planar type

For general amplification

Unit: mm

Complementary to 2SD2706

+0.10

–0.05

0.40

+0.10

–0.06

0.16

■ Features

• High forward current transfer ratio h_FE

• Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing.

(0.95) (0.95)

1.9 0.1

+0.20

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

2.90

–0.05

Parameter

Symbol

Rating

−50

Unit

10˚

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−50

1: Base

2: Emitter

−5

3: Collector

EIAJ: SC-59

Mini3-G1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−200

−400

200

°C

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Marking Symbol: AF

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−50

−5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −20 V, I_E= 0

V_CE= −10 V, I_C= −2 mA

− 0.1

500

µA



h_FE

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −100 mA, I_B= −10 mA

−300

MHz

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: November 2004

SJC00322AED

中文翻译

下载PDF

与2SB1734相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1737	SANYO	获取价格	PNP Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor Driver Applications
2SB1739	SANYO	获取价格	PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Compact Motor Driver Applications
2SB1739(TP)	ONSEMI	获取价格	Transistor,
2SB1739(TP-FA)	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252VAR
2SB173B	ETC	获取价格	Ge PNP Alloy Junction
2SB173C	ETC	获取价格	Ge PNP Alloy Junction
2SB173D	ETC	获取价格	Ge PNP Alloy Junction
2SB1740	SANYO	获取价格	Driver Applications
2SB175	ETC	获取价格	Ge PNP Alloy Junction
2SB175A	ETC	获取价格	Ge PNP Alloy Junction

与2SB1734相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

76
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

67
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

151
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

133

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1734

2SB1734 技术参数

2SB1734 数据手册

与2SB1734相关器件

与2SB1734相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1734

2SB1734 技术参数

2SB1734 数据手册

与2SB1734相关器件

与2SB1734相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？