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2SB1625

更新时间： 2024-11-10 22:52:39
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose)

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2SB1625 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：110 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：5000JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

2SB1625 数据手册

  
E
C
(70Ω)  
B
Darlington 2 S B1 6 2 5  
Equivalent circuit  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SD2494)  
Application : Audio, Series Regulator and General Purpose  
External Dimensions FM100(TO3P)  
■Absolute maximum ratings  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
2SB1625  
Symbol  
ICBO  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Conditions  
VCB=–110V  
2SB1625  
Unit  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
–110  
–100max  
–100max  
–110min  
5000min  
–2.5max  
–3.0max  
–100typ  
–110typ  
±0.2  
V
3.45  
–110  
IEBO  
VEB=–5V  
V
–5  
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–30mA  
V
±0.2  
ø3.3  
–6  
–1  
VCE=–4V, IC=–5A  
IC=–5A, IB=–5mA  
IC=–5A, IB=–5mA  
VCE=–12V, IE=0.5A  
VCB=–10V, f=1MHz  
A
a
b
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
V
V
A
PC  
60(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
Tj  
MHz  
pF  
1.75  
2.15  
0.8  
COB  
Tstg  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
1.05  
to  
to  
to  
hFE Rank O(5000 12000), P(6500 20000), Y(15000 30000)  
+0.2  
±0.1  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
1.5  
4.4  
Weight : Approx 6.5g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
(Ω)  
(A)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
(V)  
(mA)  
(mA)  
B
C
E
–30  
6
–5  
–10  
5
–5  
5
1.1typ  
3.2typ  
1.1typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
–6  
–4  
–2  
0
–3  
–6  
–5  
–4  
–3  
–2  
–1  
–2  
–5A  
IC=–3A  
–1  
0
0
0
–2  
–4  
–6  
–0.1  
–0.5 –1  
–5 –10  
–50 –100  
0
–1  
–2  
–3  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
40,000  
5
50000  
125˚C  
Typ  
25˚C  
10,000  
5,000  
10000  
–30˚C  
5000  
1
1000  
500  
1,000  
500  
0.5  
100  
200  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
–0.02 –0.05 –0.1  
–0.5  
–1  
–5 –6  
–0.2  
–0.05 –0.1  
–0.5  
–1  
–5 –6  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
60  
40  
20  
–20  
–10  
–5  
120  
100  
80  
Typ  
–1  
60  
40  
–0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
–0.1  
20  
0
Without Heatsink  
3.5  
0
–0.05  
–5  
–10  
–50  
–100 –150  
0.02  
0.05 0.1  
0.5  
1
5 6  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
52  
1

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