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2SB1624P

更新时间： 2024-11-11 15:28:31

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急速微 - ALLEGRO		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	24K
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN

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2SB1624P 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	110 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	6500	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1624P 数据手册

(70Ω)

Darlington 2 S B1 6 2 4

Equivalent circuit

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SD2493)

Application : Audio, Series Regulator and General Purpose

External Dimensions MT-100(TO3P)

(Ta=25°C)

■Absolute maximum ratings

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

2SB1624

Symbol

I^CBO

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Conditions

Unit

µA

±0.2

4.8

±0.4

15.6

9.6

–110

–100max

–110min

5000min

–2.5max

–3.0max

100typ

V^CB=–110V

±0.1

2.0

–110

IEBO

V^EB=–5V

–5

V(BR)CEO

hFE

I^C=–30mA

±0.1

ø3.2

–6

–1

V^CE=–4V, IC=–5A

I^C=–5A, IB=–5mA

V^CE=–12V, IE=0.5A

V^CB=–10V, f=1MHz

VCE(sat)

VBE(sat)

60(Tc=25°C)

150

°C

MHz

COB

110typ

Tstg

–55 to +150

+0.2

-0.1

+0.2

-0.1

1.05

0.65

1.4

hFE Rank O(5000 12000), P(6500 20000), Y(15000 30000)

±0.1

5.45

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Weight : Approx 6.0g

a. Type No.

R^L

(Ω)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B2

(mA)

ton

(µs)

tstg

(µs)

V^CC

(V)

I^C

(A)

I^B1

(mA)

b. Lot No.

–10

1.1typ

3.2typ

1.1typ

–30

–5

–

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

I^CV^BETemperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

–6

–4

–2

–3

–6

–2

–4

–2

–5A

IC=–3A

–1

–2

–4

–6

–0.1

–0.5 –1

–5 –10

–50 –100

–1

–2

–3

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Base Current IB(mA)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

40,000

000

125˚C

25˚C

Typ

10,000

5,000

000

–30˚C

000

500

1,000

500

0.5

100

–0.02

200

50 100

Time t(ms)

500 1000 2000

–0.1

–0.5

–1

–5 –6

–0.2

–0.1

–0.5

–1

–5 –6

Collector Current I^C(A)

Collector Current IC(A)

–

f^TIE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

–20

120

100

Typ

–10

–5

–1

–0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

–0.1

Without Heatsink

3.5

–0.05

–5

–10

–50

–100

–200

0.02

0.05 0.1

0.5

5 6

100

125

150

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

Emitter Current IE(A)

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