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2SB1593

更新时间： 2024-09-23 21:55:19

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松下 - PANASONIC		/
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3页	67K
描述
For Low-Frequency Output Amplification

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2SB1593 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER BISMUTH COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1593 数据手册

Power Transistors

2SB1593

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency output amplification

Unit: mm

7.5 0.2

4.5 0.2

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Allowing automatic insertion with radial taping

0.65 0.1

0.85 0.1

1.0 0.1

0.8 C

0.7 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

0.7 0.1

1.15 0.2

Parameter

Symbol

Rating

−29

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

0.5 0.1

0.4 ^0.1

Collector-emitter voltage

(Resistor between B and E)

V_CER

−29

0.8 C

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−20

−11

1: Emitter

2: Collector

3: Base

2.5 0.2

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−3

MT-3-A1 Package

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−10

1.5

°C

150

T_stg

−55 ∼ +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

Conditions

Min

−29

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emiter open)

I_C= −10 µA, I_E= 0

Collector-emitter voltage

(Resistor between B and E)

V_CER

I_C= −1 mA, R_BE= 10 kΩ

Collector-emitter voltage (Base open)

Emiter-base voltage (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CEO

V_EBO

h_FE

I_C= −1 mA, I_B= 0

−20

−11

100

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CE= −2 V, I_C= −2.6 A

450



V_CE(sat)I_C= −2.6 A, I_B= −40 mA

− 0.3 − 0.5

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

110

150

(Common base, input open circuited)

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: April 2003

SJD00085BED

12 3

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