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2SB1587

更新时间： 2024-11-20 22:52:39
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 29K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose)

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2SB1587 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3PF
包装说明：TO-3PF, FM100, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.35Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5000
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：65 MHz
Base Number Matches：1

2SB1587 数据手册

  
E
C
(70Ω)  
B
Darlington 2 S B1 5 8 7  
Equivalent circuit  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SD2438)  
Application : Audio, Series Regulator and General Purpose  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
■Absolute maximum ratings  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
2SB1587  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Symbol  
2SB1587  
Unit  
Unit  
Conditions  
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
–160  
ICBO  
–100max  
–100max  
–150min  
5000min  
–2.5max  
–3.0max  
65typ  
V
VCB=–160V  
µA  
µA  
V
±0.2  
3.45  
–150  
IEBO  
V
VEB=–5V  
–5  
V(BR)CEO  
hFE  
V
IC=–30mA  
±0.2  
ø3.3  
–8  
–1  
VCE=–4V, IC=–6A  
IC=–6A, IB=–6mA  
IC=–6A, IB=–6mA  
VCE=–12V, IE=1A  
VCB=–10V, f=1MHz  
A
a
b
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
PC  
75(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
Tj  
MHz  
pF  
1.75  
2.15  
0.8  
Tstg  
COB  
160typ  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
1.05  
to  
to  
to  
hFE Rank O(5000 12000), P(6500 20000), Y(15000 30000)  
+0.2  
±0.1  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
1.5  
4.4  
C
Weight : Approx 6.5g  
a. Type No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
B
E
b. Lot No.  
–60  
10  
–6  
–10  
5
–6  
6
0.7typ  
3.6typ  
0.9typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
–8  
–6  
–4  
–8  
–3  
–6  
–4  
–2  
0
–2  
–8A  
–6A  
IC=–4A  
IB=–0.3mA  
–1  
–2  
0
0
0
–2  
–4  
–6  
–0.2 –0.5 –1  
–5 –10  
–50 –100 –200  
0
–1  
–2  
–3  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
40,000  
50000  
4
125˚C  
Typ  
25˚C  
10000  
10,000  
5,000  
–30˚C  
1
5000  
0.5  
1000  
–0.2  
0.2  
2,000  
1
5
10  
50 100  
500 1000 2000  
–0.2  
–0.5  
–1  
Collector Current IC(A)  
–5  
–8  
–0.5  
–1  
–5  
–8  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
80  
–20  
–10  
100  
80  
–5  
60  
40  
Typ  
60  
–1  
40  
20  
0
–0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
–0.1  
Without Heatsink  
3.5  
0
–0.05  
0.02 0.05 0.1  
0.5  
1
5
8
–2  
–5  
–10  
–50  
–100 –200  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
49  
1

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