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2SB1567

更新时间： 2024-02-17 05:04:34

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	205K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1567 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220FN
包装说明：	TO-220FN, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SB1567 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1567

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·Complement to type 2SD2398

·High DC current gain.

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·For power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-100

-8

UNIT

Open base

Open collector

-2

I_CM

Collector current-peak

-3

T_C=25ꢀ

T_a=25ꢀ

P_C

Collector dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

ꢀ

T_stg

12 3

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