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2SB1566F

更新时间： 2024-02-24 21:48:59

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无锡固电 - ISC		/
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
Transistor

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技术参数
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2SB1566F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220FN	包装说明：	TO-220FN, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1566F 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1566

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·Excellent DC current gain characteristics

·Low collector saturation voltage

·Wide SOA (safe operating area)

·Complement to type 2SD2395

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

MAX

-60

UNIT

Open base

-50

Open collector

-5

-3

I_CM

Collector current-peak

-4.5

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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