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2SB1499AQ

更新时间： 2024-09-16 19:33:15

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松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	164K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT4, 3 PIN

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2SB1499AQ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1499AQ 数据手册

Power Transistors

2SB1499, 2SB1499A

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-freauency power amplification

Unit: mm

Features

■

●

High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory linearity

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

5.0±0.1

●

Allowing automatic insertion with radial taping

10.0±0.2

1.0

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

90°

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1.2±0.1

C1.0

Collector to

2SB1499

2SB1499A

2SB1499

–60

2.25±0.2

V_CBO

0.65±0.1

1.05±0.1

base voltage

Collector to

–80

0.35±0.1

–60

V_CEO

0.55±0.1

emitter voltage 2SB1499A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

V_EBO

I_CP

–5

C1.0

–8

2 3

I_C

–4

2.5±0.2

Collector power T_C=25°C

1:Base

P_C

2:Collector

3:Emitter

MT4 Type Package

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CES

Conditions

min

typ

max

–400

–700

–1

Unit

2SB1499

2SB1499A

2SB1499

2SB1499A

V_CE= –60V, V_BE= 0

µA

current

V_CE= –80V, V_BE= 0

V_CE= –30V, I_B= 0

V_CE= –60V, I_B= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Collector cutoff

current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

µA

Emitter cutoff current

Collector to emitter 2SB1499

voltage 2SB1499A

–60

–80

I_C= –30mA, I_B= 0

h_FE1

V_CE= –4V, I_C= –1A

250

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_BE

V_CE= –4V, I_C= –3A

–2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –4A, I_B= – 0.4A

–1.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= –10V, I_C= – 0.1A, f = 10MHz

0.2

0.5

0.2

MHz

µs

I_C= –4A, I_B1= – 0.4A, I_B2= 0.4A

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

70 to 150

120 to 250

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1501	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1501P	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1501S	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1502	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
2SB1502	NJSEMI	获取价格	Silicon PNP Darlington Power Transistor
2SB1502P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-247VAR
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2SB1502S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-247VAR
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