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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-67 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 25 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1481_06 | TOSHIBA |
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Silicon PNP Epitaxial Type |
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| 2SB1482 | ROHM |
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1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE |
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| 2SB1482P | ROHM |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | SIP |
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| 2SB1482Q | ROHM |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | SIP |
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| 2SB1482R | ROHM |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | SIP |
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| 2SB1482T105 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1482T105/PQ | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1482T105/PR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1482T105/Q | ROHM |
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5A, 20V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1482T105/QR | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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