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2SB1446S

更新时间： 2024-01-29 13:11:49

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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SIP

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2SB1446S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB1446S 数据手册

Transistor

2SB1446

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency output amplification

Complementary to 2SD2179

Unit: mm

2.5±0.1

1.05

±0.05

6.9±0.1

4.0

(1.45)

0.8

0.7

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Allowing supply with the radial taping.

0.65 max.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

0.45⁺–0⁰.^.0¹5

■

2.5±0.5 2.5±0.5

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–50

–5

Note: In addition to the

lead type shown in

1:Emitter

2:Collector

–7

the upper figure, the 3:Base

I_C

–5

type as shown in

the lower figure is

also available.

MT2 Type Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

1.2±0.1

0.65

max.

0.1

0.45_–0.05

(HW type)

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

_CB= –20V, I_E= 0

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

– 0.1

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= –10µA, I_E= 0

–50

–5

I_C= –1mA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= –2V, I_C= –500mA^*2

V_CE= –2V, I_C= –2.5A^*2

I_C= –2A, I_B= –100mA^*2

V_CB= –10V, I_E= 50mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

120

340

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

– 0.2

– 0.85

– 0.3

–1.2

Transition frequency

f_T

MHz

Collector output capacitance

C_ob

120

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

120 ~ 240

170 ~ 340

12 3

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