2SB1392

更新时间： 2024-02-24 13:30:54

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日立 - HITACHI		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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5页	35K
描述
Silicon PNP Triple Diffused

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2SB1392 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.72
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB1392 数据手册

2SB1392

Silicon PNP Triple Diffused

Application

Low frequency power amplifier

Outline

TO-220FM

1. Base

2. Collector

3. Emitter

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–70

–60

–5

–4

Collector peak current

Collector power dissipation

I_C(peak)

–8

P_C

P_C*¹

Junction temperature

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Note: 1. Value at T_C= 25°C.

12 3 4 5

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