2SB1353

更新时间： 2024-01-11 09:38:56

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	104K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SB1353 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	160
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.8 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1353 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB1353

DESCRIPTION

·Good Linearity of h_FE

· Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -120V(Min)

·Complement to Type 2SD2033

APPLICATIONS

·Designed for use in high voltage driver applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-120

-5.0

UNIT

Collector Current-Continuous

-1.5

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.8

P_C

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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