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2SB1351

更新时间： 2024-02-18 18:58:59
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体继电器晶体管功率双极晶体管开关电机驱动局域网
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Driver for Printer Head, Solenoid, Relay, Motor and General Purpose)

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2SB1351 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220F, FM20, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.24Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.05外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：12 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：2000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：130 MHz
Base Number Matches：1

2SB1351 数据手册

  
E
C
(2kΩ)(100Ω)  
B
Darlington 2 S B1 3 5 1  
Equivalent circuit  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor  
Application : Driver for Printer Head, Solenoid, Relay, Motor and General Purpose  
■Absolute maximum ratings  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
External Dimensions FM20(TO220F)  
Symbol  
2SB1351  
Symbol  
ICBO  
Condition  
2SB1351  
–10max  
–10max  
–60min  
Unit  
Unit  
µA  
mA  
V
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
–60  
–60  
VCB=–60V  
V
IEBO  
VEB=–6V  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–10mA  
–6  
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
2000min  
–1.5max  
–2.0max  
130typ  
VCE=–4V, IC=–10A  
IC=–10A, IB=–20mA  
IC=–10A, IB=–20mA  
VCE=–12V, IE=1A  
VCB=–10V, f=1MHz  
–12(Pulse–20)  
–1  
A
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
V
V
A
PC  
30(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
±0.15  
1.35  
Tj  
MHz  
pF  
±0.15  
1.35  
COB  
170typ  
Tstg  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.2  
2.2  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VBB1  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(mA)  
(mA)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
B
C E  
5
–20  
20  
0.7typ  
1.5typ  
0.6typ  
–40  
4
–10  
–10  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
–20  
–15  
–10  
–5  
–3  
–20  
–15  
–10  
–5  
–2  
IC=–10A  
–5A  
–1  
–1A  
0
–0.1  
0
0
0
–1  
–2  
–3  
–4  
–5  
–6  
–1  
–10  
–100  
0
–1  
–2  
–2.4  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
5
1
20000  
20000  
10000  
5000  
10000  
5000  
Typ  
1000  
500  
0.5  
0.3  
1000  
800  
1
10  
100  
1000  
–0.3 –0.5  
–1  
–5  
–10  
–20  
–0.3  
–1  
–5  
–10  
–20  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
30  
20  
10  
240  
200  
160  
120  
–30  
Natural Cooling  
Silicone Grease  
Heatsink: Aluminum  
in mm  
–10  
–5  
Typ  
150x150x2  
100x100x2  
–1  
–0.5  
80  
40  
0
Without Heatsink  
Natural Cooling  
50x50x2  
–0.1  
Without Heatsink  
2
0
–0.05  
–2  
–5  
–10  
–50  
–100  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
20  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
41  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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