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2SB1318-M

更新时间: 2024-11-20 13:04:11
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体二极管小信号双极晶体管达林顿晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 124K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

2SB1318-M 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):2000
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SB1318-M 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1318-M-AZ RENESAS

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3000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SB1319P ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71
2SB1319R ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71
2SB1320 PANASONIC

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Silicon PNP epitaxial planer type
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Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1320A-HW PANASONIC

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2SB1320AQ ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
2SB1320AR ETC

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