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| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.35 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 5000 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1318L | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-251VAR |
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| 2SB1318-L | RENESAS |
获取价格 |
3000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1318-L | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1318-L-AZ | RENESAS |
获取价格 |
3000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1318M | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-251VAR |
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| 2SB1318-M | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1318-M-AZ | RENESAS |
获取价格 |
3000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1319 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
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| 2SB1319P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71 |
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| 2SB1319Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71 |
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