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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.49 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1318K | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-251VAR |
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| 2SB1318-K | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SB1318-K-AZ | RENESAS |
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3000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1318L | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-251VAR |
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| 2SB1318-L | RENESAS |
获取价格 |
3000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1318-L | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1318-L-AZ | RENESAS |
获取价格 |
3000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1318M | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-251VAR |
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| 2SB1318-M | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1318-M-AZ | RENESAS |
获取价格 |
3000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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