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2SB1316TL

更新时间： 2024-11-20 12:52:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 78K
描述
Power Transistor

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2SB1316TL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-63
包装说明：CPT3, SC-63, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.14其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：1000JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：10 W最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Copper (Sn98Cu2)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：1.5 VBase Number Matches：1

2SB1316TL 数据手册

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2SB1316  
Transistors  
Power Transistor (−100V , −2A)  
2SB1316  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) Darlington connection for high DC current gain.  
2) Built-in resistor between base and emitter.  
3) Built-in damper diode.  
2SB1580  
4.0  
2.5  
1.0  
0.5  
(
)
1
4) Complements the 2SD2195 / 2SD1980.  
(
)
2
3
(
)
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−100  
−100  
−8  
Unit  
V
V
V
A(DC)  
A(Pulse) ∗1  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−2  
−3  
Collector current  
IC  
2SB1316  
5.5  
1.5  
2SB1580  
2SB1316  
2
1
10  
Collector  
power  
dissipation  
∗2  
W
P
C
W(Tc=25°C)  
Junction temperature  
Storage temperature  
°C  
°C  
Tj  
Tstg  
150  
−55 to +150  
0.9  
∗
∗
1
2
Single pulse Pw=100ms  
When mounted on a 40 x 40 x 0.7 mm ceramic board.  
C0.5  
zPackaging specifications and hFE  
0.8Min.  
1.5  
Type  
Package  
2SB1580  
MPT3  
1k to 10k  
BN∗  
T100  
1000  
2SB1316  
CPT3  
1k to 10k  
−
TL  
2500  
2.5  
h
FE  
9.5  
Marking  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
Denotes hFE  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
∗
zEquivalent circuit  
C
B
R1  
R2  
E
R
1
2
3.5kΩ B : Base  
C : Collector  
E : Emitter  
R
300Ω  
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−
−
−
−
−
−
−
50  
35  
−
−
−
V
V
I
I
I
V
V
C
C
= −50µA  
= −5mA  
= −5mA  
−100  
−100  
−10  
−
V
E
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−10  
−3  
−1.5  
10000  
−
µA  
mA  
V
−
MHz  
pF  
CB = −100V  
EB = −7V  
Emitter cutoff current  
I
V
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
−
1000  
−
I
C/I  
B
= −1A/−1mA  
∗
∗
h
V
V
V
CE = −2V , I  
CE = −5V , I  
CB = −10V , I  
C
= −1A  
=0.1A , f = 30MHz  
= 0A , f = 1MHz  
f
Cob  
T
E
Output capacitance  
Measured using pulse current.  
−
−
E
∗
Rev.A  
1/2  
123

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2SB1316TL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SB1316 ROHM

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