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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1316F5A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
|
| 2SB1316F5B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
|
| 2SB1316F5C | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
|
| 2SB1316TL | ROHM |
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Power Transistor |
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| 2SB1316TR | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SB1317 | PANASONIC |
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Silicon PNP triple diffusion planar type(For high power amplification) |
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| 2SB1317 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1317 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1317P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SB1317Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
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